| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | D3R6N30 |
| EBEE 부품 번호 | E85156807 |
| 패키지 | TO-252W |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | 30V 80A 82W 3.6mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
| 5000+ | $0.0639 | $ 319.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 3.6mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 206pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.414nF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
| 5000+ | $0.0639 | $ 319.5000 |
