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Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30


제조사
제조사 부품 번호
D3R6N30
EBEE 부품 번호
E85156807
패키지
TO-252W
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
설명
30V 80A 82W 3.6mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.1277$ 0.6385
50+$0.1017$ 5.0850
150+$0.0886$ 13.2900
500+$0.0789$ 39.4500
2500+$0.0678$ 169.5000
5000+$0.0639$ 319.5000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)3.6mΩ@10V
작동 온도 --55℃~+150℃
역전송 용량(Crss@Vds)206pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation82W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)80A
Ciss-Input Capacitance2.414nF
Gate Charge(Qg)13nC

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