| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GP2T040A120U |
| EBEE 부품 번호 | E85749310 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1.2kV 63A 52mΩ@20V,40A 322W 1.8V@10mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $40.9079 | $ 40.9079 |
| 210+ | $16.3223 | $ 3427.6830 |
| 510+ | $15.7783 | $ 8046.9330 |
| 990+ | $15.5082 | $ 15353.1180 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | SemiQ GP2T040A120U | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1.2kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 63A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@20V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 322W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.8V@10mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7pF@1000V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.192nF@1000V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 118nC@20V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $40.9079 | $ 40.9079 |
| 210+ | $16.3223 | $ 3427.6830 |
| 510+ | $15.7783 | $ 8046.9330 |
| 990+ | $15.5082 | $ 15353.1180 |
