| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | RV2C010UNT2L |
| EBEE 부품 번호 | E8570828 |
| 패키지 | X2-DFN1006-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 1A 470mΩ@4.5V,500mA 400mW 1V@1mA 1 N-Channel X2-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1603 | $ 0.8015 |
| 50+ | $0.1324 | $ 6.6200 |
| 150+ | $0.1183 | $ 17.7450 |
| 500+ | $0.1079 | $ 53.9500 |
| 2500+ | $0.0898 | $ 224.5000 |
| 5000+ | $0.0857 | $ 428.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | ROHM Semicon RV2C010UNT2L | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 1A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 470mΩ@4.5V,500mA | |
| 전력 손실(Pd) | 400mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 8pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 40pF@0V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | - |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1603 | $ 0.8015 |
| 50+ | $0.1324 | $ 6.6200 |
| 150+ | $0.1183 | $ 17.7450 |
| 500+ | $0.1079 | $ 53.9500 |
| 2500+ | $0.0898 | $ 224.5000 |
| 5000+ | $0.0857 | $ 428.5000 |
