| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | RT1A040ZPTR |
| EBEE 부품 번호 | E86208391 |
| 패키지 | TSST-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 12V 4A 30mΩ@4.5V,4A 1.25W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TSST-8 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9707 | $ 0.9707 |
| 200+ | $0.3887 | $ 77.7400 |
| 500+ | $0.3747 | $ 187.3500 |
| 1000+ | $0.3695 | $ 369.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ROHM RT1A040ZPTR | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@4.5V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.25W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.35nF@6V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9707 | $ 0.9707 |
| 200+ | $0.3887 | $ 77.7400 |
| 500+ | $0.3747 | $ 187.3500 |
| 1000+ | $0.3695 | $ 369.5000 |
