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ROHM Semicon RQ3E130MNTB1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | RQ3E130MNTB1 |
| EBEE 부품 번호 | E8308745 |
| 패키지 | HSMT-8(3x3.2) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
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추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 13A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| 전력 손실(Pd) | 2W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 90pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 840pF@0V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 6.6nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
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