| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | RGT30NS65DGTL |
| EBEE 부품 번호 | E82688827 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 133W 30A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,IGBT 트랜지스터/모듈 | |
| 데이터시트 | ROHM Semicon RGT30NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | FS(Field Stop) | |
| 콜렉터 전류(Ic) | 30A | |
| 전력 손실(Pd) | 133W | |
| 끄기 지연 시간(Td(off)) | 64ns | |
| 켜기 지연 시간(Td(on)) | 18ns | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 650V | |
| 입력 커패시턴스(Cies@Vce) | - | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,15A | |
| 총 게이트 요금(Qg@Ic,Vge) | 32nC | |
| 다이오드 역회복 시간(Trr) | 55ns | |
| 켜기 스위칭 손실(Eon) | - |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
