| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ESJ100SH60N |
| EBEE 부품 번호 | E837635852 |
| 패키지 | FD7 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | FD7 IGBT Transistors / Modules ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,IGBT 트랜지스터/모듈 | |
| 데이터시트 | MASPOWER ESJ100SH60N | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+125℃ | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 600V | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | 3.5V@250uA | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 560nC@15V | |
| Td(off) | 250ns | |
| Td(on) | 120ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 280pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.85nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 780pF |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
