Recommonended For You
- 집 /
- 제품 /
- 트랜지스터/사이리스터 /
- MOSFET /
- RENESAS RJK0656DPB-00#J5
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
RENESAS RJK0656DPB-00#J5
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | RJK0656DPB-00#J5 |
| EBEE 부품 번호 | E87283364 |
| 패키지 | SC-100(SOT-669) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 60V 40A 65W 5.6mΩ@10V,20A 4V@1mA 1 N-channel SC-100(SOT-669) MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8376 | $ 3.8376 |
| 200+ | $1.5319 | $ 306.3800 |
| 500+ | $1.4813 | $ 740.6500 |
| 1000+ | $1.4552 | $ 1455.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | RENESAS RJK0656DPB-00#J5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 40A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 65W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 175pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3nF@10V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 40nC@10V |
쇼핑 가이드
펼치기
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8376 | $ 3.8376 |
| 200+ | $1.5319 | $ 306.3800 |
| 500+ | $1.4813 | $ 740.6500 |
| 1000+ | $1.4552 | $ 1455.2000 |
