| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NP83P06PDG-E1-AY |
| EBEE 부품 번호 | E87321230 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 60V 83A 8.8mΩ@10V,41.5A 2.5V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2736 | $ 5.2736 |
| 200+ | $2.1053 | $ 421.0600 |
| 500+ | $2.0338 | $ 1016.9000 |
| 800+ | $1.9989 | $ 1599.1200 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | RENESAS NP83P06PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 83A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.8mΩ@10V,41.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.8W;150W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 10.1nF@10V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 190nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2736 | $ 5.2736 |
| 200+ | $2.1053 | $ 421.0600 |
| 500+ | $2.0338 | $ 1016.9000 |
| 800+ | $1.9989 | $ 1599.1200 |
