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RENESAS NP28N10SDE-E1-AY
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NP28N10SDE-E1-AY |
| EBEE 부품 번호 | E87321212 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 28A 52mΩ@10V,14A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | RENESAS NP28N10SDE-E1-AY | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 28A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.2W;100W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.3nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 75nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
