Recommonended For You
- 집 /
- 제품 /
- 트랜지스터/사이리스터 /
- MOSFET /
- RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NP160N055TUJ-E1-AY |
| EBEE 부품 번호 | E87321208 |
| 패키지 | TO-263-6 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 55V 160A 3mΩ@10V,80A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-6 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 160A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,80A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.8W;250W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 10.35nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 180nC@10V |
쇼핑 가이드
펼치기
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
