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RENESAS NP100P04PDG-E1-AY
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NP100P04PDG-E1-AY |
| EBEE 부품 번호 | E83281533 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 40V 100A 3.5mΩ@10V,50A 200W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | RENESAS NP100P04PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.13nF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 15.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 320nC@32V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
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