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RENESAS 2SK1968-E
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 2SK1968-E |
| EBEE 부품 번호 | E83282853 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 12A 100W 680mΩ@10V,6A 2V@1mA MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0505 | $ 17.0505 |
| 200+ | $6.5992 | $ 1319.8400 |
| 500+ | $6.3666 | $ 3183.3000 |
| 1000+ | $6.2531 | $ 6253.1000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | RENESAS 2SK1968-E | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 12A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 680mΩ@10V,6A | |
| 전력 손실(Pd) | 100W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 60pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.8nF@10V |
쇼핑 가이드
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0505 | $ 17.0505 |
| 200+ | $6.5992 | $ 1319.8400 |
| 500+ | $6.3666 | $ 3183.3000 |
| 1000+ | $6.2531 | $ 6253.1000 |
