| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | P3M12040G7 |
| EBEE 부품 번호 | E87023109 |
| 패키지 | D2PAK-7 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | 1.2kV 63A 53mΩ@15V,40A 349W 1.6V@10mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | PN Junction Semiconductor P3M12040G7 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1.2kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 63A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@15V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 349W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.6V@10mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5.4pF@800V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3505pF@800V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 98nC@15V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
