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PN Junction Semiconductor P3M06120T3


제조사
제조사 부품 번호
P3M06120T3
EBEE 부품 번호
E87323805
패키지
TO-220-2L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
설명
650V 29A 158mΩ@15V,10A 153W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS
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회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$26.1686$ 26.1686
200+$10.4423$ 2088.4600
500+$10.0939$ 5046.9500
1000+$9.9213$ 9921.3000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트PN Junction Semiconductor P3M06120T3
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)650V
연속 드레인 전류(Id)29A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)158mΩ@15V,10A
전력 손실(Pd)153W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)1.8V@5mA
역전송 용량(Crss@Vds)8.6pF@400V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)31.6nC@15V

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