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PN Junction Semiconductor P3M06060T3


제조사
제조사 부품 번호
P3M06060T3
EBEE 부품 번호
E87323804
패키지
TO-220-2L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
설명
650V 46A 79mΩ@15V,20A 170W 1.65V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS
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회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$30.0148$ 30.0148
200+$11.9777$ 2395.5400
500+$11.5769$ 5788.4500
1000+$11.3782$ 11378.2000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트PN Junction Semiconductor P3M06060T3
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)650V
연속 드레인 전류(Id)46A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)79mΩ@15V,20A
전력 손실(Pd)170W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)1.65V@5mA
역전송 용량(Crss@Vds)15.3pF@400V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1911pF@400V

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