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PN Junction Semiconductor P3M06060G7
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | P3M06060G7 |
| EBEE 부품 번호 | E86625354 |
| 패키지 | D2PAK-7 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 44A 159W 79mΩ@15V,20A 1.8V@20mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | PN Junction Semiconductor P3M06060G7 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 44A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 79mΩ@15V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 159W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.8V@20mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 15.3pF@400V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1911pF@400V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
