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PIP PTW36N60


제조사
제조사 부품 번호
PTW36N60
EBEE 부품 번호
E8575821
패키지
TO-3P-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
600V 36A 120mΩ@10V,18A 650W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
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국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$2.6732$ 2.6732
10+$2.3394$ 23.3940
30+$2.1300$ 63.9000
100+$1.9153$ 191.5300
500+$1.8194$ 909.7000
1000+$1.7769$ 1776.9000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트PIP PTW36N60
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)600V
연속 드레인 전류(Id)36A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)120mΩ@10V,18A
전력 손실(Pd)650W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)2V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)40pF@25V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)-
총 게이트 요금(Qg@Vgs)-

쇼핑 가이드

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