| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PTW28N50 |
| EBEE 부품 번호 | E8575816 |
| 패키지 | TO-3P-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 500V 28A 170mΩ@10V,14A 300W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4999 | $ 1.4999 |
| 10+ | $1.2870 | $ 12.8700 |
| 30+ | $1.1698 | $ 35.0940 |
| 100+ | $1.0366 | $ 103.6600 |
| 500+ | $0.9781 | $ 489.0500 |
| 1000+ | $0.9515 | $ 951.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | PIP PTW28N50 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 28A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 300W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 0.19nF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 4.28nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | - |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4999 | $ 1.4999 |
| 10+ | $1.2870 | $ 12.8700 |
| 30+ | $1.1698 | $ 35.0940 |
| 100+ | $1.0366 | $ 103.6600 |
| 500+ | $0.9781 | $ 489.0500 |
| 1000+ | $0.9515 | $ 951.5000 |
