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PIP PTA10N80
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PTA10N80 |
| EBEE 부품 번호 | E8343859 |
| 패키지 | TO-220F-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 10A 55W 1Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | PIP PTA10N80 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 55W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 25pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.9nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
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