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onsemi NTE4153NT1G
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NTE4153NT1G |
| EBEE 부품 번호 | E879836 |
| 패키지 | SC-89 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 915mA 300mW 0.127Ω@4.5V 450mV@250uA 1 N-channel SC-89 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | onsemi NTE4153NT1G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 915mA | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.127Ω@4.5V | |
| 전력 손실(Pd) | 300mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 12pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 110pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 1.82nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
