| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FDMS8570SDC |
| EBEE 부품 번호 | E83279580 |
| 패키지 | PowerTDFN-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 25V 60A 59W 2.8mΩ@10V,28A 1.1V@1mA 1 N-channel PowerTDFN-8 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | onsemi FDMS8570SDC | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 60A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,28A | |
| 전력 손실(Pd) | 59W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.1V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 94pF@13V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.825nF@13V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 42nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
