| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FDD6796A |
| EBEE 부품 번호 | E83281321 |
| 패키지 | TO-252(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 25V 5.7mΩ@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6619 | $ 0.6619 |
| 200+ | $0.2555 | $ 51.1000 |
| 750+ | $0.2467 | $ 185.0250 |
| 1500+ | $0.2431 | $ 364.6500 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | onsemi FDD6796A | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 20A;40A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.7mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 3.7W;42W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.78nF@13V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 34nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6619 | $ 0.6619 |
| 200+ | $0.2555 | $ 51.1000 |
| 750+ | $0.2467 | $ 185.0250 |
| 1500+ | $0.2431 | $ 364.6500 |
