| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FDC3535 |
| EBEE 부품 번호 | E8890870 |
| 패키지 | SSOT-6 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 80V 2.1A 183mΩ@10V,2.1A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel SSOT-6 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.9149 | $ 8.9149 |
| 10+ | $8.6814 | $ 86.8140 |
| 30+ | $8.5251 | $ 255.7530 |
| 100+ | $8.3688 | $ 836.8800 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | onsemi FDC3535 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 2.1A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 183mΩ@10V,2.1A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.6W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 880pF@40V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.9149 | $ 8.9149 |
| 10+ | $8.6814 | $ 86.8140 |
| 30+ | $8.5251 | $ 255.7530 |
| 100+ | $8.3688 | $ 836.8800 |
