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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | EFC4C002NLTDG |
| EBEE 부품 번호 | E8895362 |
| 패키지 | WLCSP-8(2.5x6) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 30A 2.6mΩ@10V,30A 2.6W 1.3V@1mA 2 N-Channel WLCSP-8(2.5x6) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2508 | $ 1.2508 |
| 10+ | $1.0789 | $ 10.7890 |
| 30+ | $0.9764 | $ 29.2920 |
| 100+ | $0.8731 | $ 87.3100 |
| 500+ | $0.8255 | $ 412.7500 |
| 1000+ | $0.8041 | $ 804.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | onsemi EFC4C002NLTDG | |
| RoHS | ||
| 구성 | Common Drain | |
| RDS(켜짐) | 2.6mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.6W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2508 | $ 1.2508 |
| 10+ | $1.0789 | $ 10.7890 |
| 30+ | $0.9764 | $ 29.2920 |
| 100+ | $0.8731 | $ 87.3100 |
| 500+ | $0.8255 | $ 412.7500 |
| 1000+ | $0.8041 | $ 804.1000 |
