| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NTE2371 |
| EBEE 부품 번호 | E817522661 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 19A 200mΩ@10V,11A 150W 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $20.3539 | $ 20.3539 |
| 200+ | $8.1225 | $ 1624.5000 |
| 500+ | $7.8507 | $ 3925.3500 |
| 1000+ | $7.7165 | $ 7716.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | NTE Electronics NTE2371 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 19A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,11A | |
| 전력 손실(Pd) | 150W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.4nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 61nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $20.3539 | $ 20.3539 |
| 200+ | $8.1225 | $ 1624.5000 |
| 500+ | $7.8507 | $ 3925.3500 |
| 1000+ | $7.7165 | $ 7716.5000 |
