| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PE642DT |
| EBEE 부품 번호 | E8532974 |
| 패키지 | DFN-8-EP(3x3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 34A 9mΩ@10V,10A 20W 2.3V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | NIKO Semicon PE642DT | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 34A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V,10A | |
| 전력 손실(Pd) | 20W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 139pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 782pF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 9.6nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
