| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PA910BD |
| EBEE 부품 번호 | E8532968 |
| 패키지 | TO-252-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 8.1A 190mΩ@10V,3A 15W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1760 | $ 0.1760 |
| 10+ | $0.1402 | $ 1.4020 |
| 30+ | $0.1249 | $ 3.7470 |
| 100+ | $0.1057 | $ 10.5700 |
| 500+ | $0.0972 | $ 48.6000 |
| 1000+ | $0.0921 | $ 92.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | NIKO Semicon PA910BD | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8.1A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 15W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 21pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 306pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 8.6nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1760 | $ 0.1760 |
| 10+ | $0.1402 | $ 1.4020 |
| 30+ | $0.1249 | $ 3.7470 |
| 100+ | $0.1057 | $ 10.5700 |
| 500+ | $0.0972 | $ 48.6000 |
| 1000+ | $0.0921 | $ 92.1000 |
