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NIKO Semicon PA910BD


제조사
제조사 부품 번호
PA910BD
EBEE 부품 번호
E8532968
패키지
TO-252-2
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
100V 8.1A 190mΩ@10V,3A 15W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.1760$ 0.1760
10+$0.1402$ 1.4020
30+$0.1249$ 3.7470
100+$0.1057$ 10.5700
500+$0.0972$ 48.6000
1000+$0.0921$ 92.1000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트NIKO Semicon PA910BD
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)100V
연속 드레인 전류(Id)8.1A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,3A
전력 손실(Pd)15W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)2.3V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)21pF@25V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)306pF@25V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)8.6nC@10V

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