| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PA410BD |
| EBEE 부품 번호 | E8532967 |
| 패키지 | TO-252-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 10A 140mΩ@10V,5A 35W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2888 | $ 1.4440 |
| 50+ | $0.2379 | $ 11.8950 |
| 150+ | $0.2162 | $ 32.4300 |
| 500+ | $0.1891 | $ 94.5500 |
| 2500+ | $0.1555 | $ 388.7500 |
| 5000+ | $0.1481 | $ 740.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | NIKO Semicon PA410BD | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,5A | |
| 전력 손실(Pd) | 35W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 22pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 330pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 8.6nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2888 | $ 1.4440 |
| 50+ | $0.2379 | $ 11.8950 |
| 150+ | $0.2162 | $ 32.4300 |
| 500+ | $0.1891 | $ 94.5500 |
| 2500+ | $0.1555 | $ 388.7500 |
| 5000+ | $0.1481 | $ 740.5000 |
