RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 63nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
