| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MEM4N60A3G |
| EBEE 부품 번호 | E8558567 |
| 패키지 | TO-220F-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 600V 4A 2.3Ω@10V,2A 33W 2.8V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4262 | $ 0.4262 |
| 10+ | $0.3466 | $ 3.4660 |
| 50+ | $0.2936 | $ 14.6800 |
| 100+ | $0.2512 | $ 25.1200 |
| 500+ | $0.2335 | $ 116.7500 |
| 1000+ | $0.2210 | $ 221.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM4N60A3G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 전력 손실(Pd) | 33W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 19.7pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 676pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | - |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4262 | $ 0.4262 |
| 10+ | $0.3466 | $ 3.4660 |
| 50+ | $0.2936 | $ 14.6800 |
| 100+ | $0.2512 | $ 25.1200 |
| 500+ | $0.2335 | $ 116.7500 |
| 1000+ | $0.2210 | $ 221.0000 |
