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MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM4N60A3G


제조사
제조사 부품 번호
MEM4N60A3G
EBEE 부품 번호
E8558567
패키지
TO-220F-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
600V 4A 2.3Ω@10V,2A 33W 2.8V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.4262$ 0.4262
10+$0.3466$ 3.4660
50+$0.2936$ 14.6800
100+$0.2512$ 25.1200
500+$0.2335$ 116.7500
1000+$0.2210$ 221.0000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM4N60A3G
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)600V
연속 드레인 전류(Id)4A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)2.3Ω@10V,2A
전력 손실(Pd)33W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)19.7pF
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)676pF@25V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)-

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