| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MEM2303M3G |
| EBEE 부품 번호 | E8489699 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 4.2A 55mΩ@10V,4.2A 1.4W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0531 | $ 0.5310 |
| 100+ | $0.0430 | $ 4.3000 |
| 300+ | $0.0378 | $ 11.3400 |
| 3000+ | $0.0329 | $ 98.7000 |
| 6000+ | $0.0299 | $ 179.4000 |
| 9000+ | $0.0283 | $ 254.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2303M3G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4.2A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,4.2A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.4W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 77pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 954pF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 9.5nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0531 | $ 0.5310 |
| 100+ | $0.0430 | $ 4.3000 |
| 300+ | $0.0378 | $ 11.3400 |
| 3000+ | $0.0329 | $ 98.7000 |
| 6000+ | $0.0299 | $ 179.4000 |
| 9000+ | $0.0283 | $ 254.7000 |
