| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MEM2302M3G |
| EBEE 부품 번호 | E870367 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 3A 50mΩ@4.5V,3A 0.46W 0.51V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0478 | $ 0.4780 |
| 100+ | $0.0389 | $ 3.8900 |
| 300+ | $0.0344 | $ 10.3200 |
| 3000+ | $0.0304 | $ 91.2000 |
| 6000+ | $0.0277 | $ 166.2000 |
| 9000+ | $0.0263 | $ 236.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2302M3G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -65℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 0.46W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 0.51V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 80pF@10V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 300pF@10V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 4nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0478 | $ 0.4780 |
| 100+ | $0.0389 | $ 3.8900 |
| 300+ | $0.0344 | $ 10.3200 |
| 3000+ | $0.0304 | $ 91.2000 |
| 6000+ | $0.0277 | $ 166.2000 |
| 9000+ | $0.0263 | $ 236.7000 |
