| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MEM12N65A3G |
| EBEE 부품 번호 | E82927392 |
| 패키지 | TO-220F-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V 12A 51W 0.64Ω@10V,3.5A 2V@250uA TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8687 | $ 0.8687 |
| 10+ | $0.7243 | $ 7.2430 |
| 50+ | $0.6521 | $ 32.6050 |
| 100+ | $0.5798 | $ 57.9800 |
| 500+ | $0.4751 | $ 237.5500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM12N65A3G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 12A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.64Ω@10V,3.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 51W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 4.5pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1476pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 24.15nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8687 | $ 0.8687 |
| 10+ | $0.7243 | $ 7.2430 |
| 50+ | $0.6521 | $ 32.6050 |
| 100+ | $0.5798 | $ 57.9800 |
| 500+ | $0.4751 | $ 237.5500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
