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Microchip Tech APTM50DAM19G
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM50DAM19G |
| EBEE 부품 번호 | E85948975 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 163A 1.136kW 22.5mΩ@10V,81.5A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM50DAM19G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 163A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 22.5mΩ@10V,81.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.136kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@10mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 22.4nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 492nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
