| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM50DAM17G |
| EBEE 부품 번호 | E85589030 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 180A 1.25kW 20mΩ@10V,90A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM50DAM17G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 180A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,90A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.25kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@10mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 28nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 560nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
