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Microchip Tech APTM120DA30CT1G
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM120DA30CT1G |
| EBEE 부품 번호 | E86124824 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1.2kV 31A 360mΩ@10V,25A 657W [email protected] 1 N-channel MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $264.2137 | $ 264.2137 |
| 200+ | $105.4234 | $ 21084.6800 |
| 500+ | $101.8999 | $ 50949.9500 |
| 1000+ | $100.1607 | $ 100160.7000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM120DA30CT1G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1.2kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 31A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,25A | |
| 전력 손실(Pd) | 657W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 14.56nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 560nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $264.2137 | $ 264.2137 |
| 200+ | $105.4234 | $ 21084.6800 |
| 500+ | $101.8999 | $ 50949.9500 |
| 1000+ | $100.1607 | $ 100160.7000 |
