| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM10UM02FAG |
| EBEE 부품 번호 | E85554285 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 570A 2.5mΩ@10V,200A 1.66kW 4V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $967.2259 | $ 967.2259 |
| 200+ | $385.9302 | $ 77186.0400 |
| 500+ | $373.0333 | $ 186516.6500 |
| 1000+ | $366.6624 | $ 366662.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM10UM02FAG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 570A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.66kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@10mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 40nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 1.36uC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $967.2259 | $ 967.2259 |
| 200+ | $385.9302 | $ 77186.0400 |
| 500+ | $373.0333 | $ 186516.6500 |
| 1000+ | $366.6624 | $ 366662.4000 |
