| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM10UM01FAG |
| EBEE 부품 번호 | E85948971 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 860A 1.6mΩ@10V,275A 2.5kW 4V@12mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,148.1296 | $ 1148.1296 |
| 200+ | $458.1119 | $ 91622.3800 |
| 500+ | $442.8032 | $ 221401.6000 |
| 1000+ | $435.2387 | $ 435238.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM10UM01FAG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 860A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6mΩ@10V,275A | |
| 전력 손실(Pd) | 2.5kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@12mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 60nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 2.1uC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,148.1296 | $ 1148.1296 |
| 200+ | $458.1119 | $ 91622.3800 |
| 500+ | $442.8032 | $ 221401.6000 |
| 1000+ | $435.2387 | $ 435238.7000 |
