| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM10SKM02G |
| EBEE 부품 번호 | E87077517 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 495A 2.5mΩ@10V,200A 1.25kW 4V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $748.9847 | $ 748.9847 |
| 200+ | $298.8508 | $ 59770.1600 |
| 500+ | $288.8633 | $ 144431.6500 |
| 1000+ | $283.9297 | $ 283929.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM10SKM02G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 495A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.25kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@10mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5.9pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 40nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 1.36uC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $748.9847 | $ 748.9847 |
| 200+ | $298.8508 | $ 59770.1600 |
| 500+ | $288.8633 | $ 144431.6500 |
| 1000+ | $283.9297 | $ 283929.7000 |
