| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM100UM45FAG |
| EBEE 부품 번호 | E85554270 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1kV 215A 52mΩ@10V,107.5A 5kW 3V@30mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM100UM45FAG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 215A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V,107.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 5kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@30mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 42.7nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 1.602uC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
