| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTC80TDU15PG |
| EBEE 부품 번호 | E817188645 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 28A 150mΩ@10V,14A 277W 3.9V@2mA 6 N-Channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTC80TDU15PG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 6 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 28A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 277W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.9V@2mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 4.507nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 180nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
