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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $349.1723 | $ 349.1723 |
| 200+ | $139.3219 | $ 27864.3800 |
| 500+ | $134.6676 | $ 67333.8000 |
| 1000+ | $132.3667 | $ 132366.7000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 28A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 277W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.9V@2mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 4.507nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 180nC@10V |
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| 200+ | $139.3219 | $ 27864.3800 |
| 500+ | $134.6676 | $ 67333.8000 |
| 1000+ | $132.3667 | $ 132366.7000 |
