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Microchip Tech APTC60HM35T3G
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTC60HM35T3G |
| EBEE 부품 번호 | E817443630 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 72A 416W 35mΩ@10V,72A [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $329.6354 | $ 329.6354 |
| 200+ | $131.5271 | $ 26305.4200 |
| 500+ | $127.1324 | $ 63566.2000 |
| 1000+ | $124.9603 | $ 124960.3000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTC60HM35T3G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 72A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,72A | |
| 전력 손실(Pd) | 416W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 14nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 518nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $329.6354 | $ 329.6354 |
| 200+ | $131.5271 | $ 26305.4200 |
| 500+ | $127.1324 | $ 63566.2000 |
| 1000+ | $124.9603 | $ 124960.3000 |
