| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTC60DAM18CTG |
| EBEE 부품 번호 | E87216514 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 143A 18mΩ@10V,71.5A 833W 3.9V@4mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTC60DAM18CTG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 143A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,71.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 833W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.9V@4mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 28nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 1.036uC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
