| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APT80M60J |
| EBEE 부품 번호 | E85554224 |
| 패키지 | SOT-227B-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 84A 960W 55mΩ@10V,60A 4V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APT80M60J | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 84A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,60A | |
| 전력 손실(Pd) | 960W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@5mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 245pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 24nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 600nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
