| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APT32F120J |
| EBEE 부품 번호 | E87077489 |
| 패키지 | SOT-227B-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1.2kV 33A 960W 320mΩ@10V,25A 4V@25A 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $168.4750 | $ 168.4750 |
| 200+ | $67.2235 | $ 13444.7000 |
| 500+ | $64.9771 | $ 32488.5500 |
| 1000+ | $63.8670 | $ 63867.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APT32F120J | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1.2kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 33A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 320mΩ@10V,25A | |
| 전력 손실(Pd) | 960W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@25A | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 215pF@1200V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 18200pF@1200V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 560nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $168.4750 | $ 168.4750 |
| 200+ | $67.2235 | $ 13444.7000 |
| 500+ | $64.9771 | $ 32488.5500 |
| 1000+ | $63.8670 | $ 63867.0000 |
