| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APT25M100J |
| EBEE 부품 번호 | E85554172 |
| 패키지 | SOT-227B-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1kV 25A 330mΩ@10V,18A 545W [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $103.2695 | $ 103.2695 |
| 200+ | $41.2054 | $ 8241.0800 |
| 500+ | $39.8288 | $ 19914.4000 |
| 1000+ | $39.1491 | $ 39149.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APT25M100J | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 25A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 330mΩ@10V,18A | |
| 전력 손실(Pd) | 545W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 130pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 9.835nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 305nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $103.2695 | $ 103.2695 |
| 200+ | $41.2054 | $ 8241.0800 |
| 500+ | $39.8288 | $ 19914.4000 |
| 1000+ | $39.1491 | $ 39149.1000 |
