| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APT18M80B |
| EBEE 부품 번호 | E87459568 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 19A 530mΩ@10V,9A 500W 4V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.9203 | $ 17.9203 |
| 200+ | $7.1504 | $ 1430.0800 |
| 500+ | $6.9116 | $ 3455.8000 |
| 1000+ | $6.7949 | $ 6794.9000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APT18M80B | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 19A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 530mΩ@10V,9A | |
| 전력 손실(Pd) | 500W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 65pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.76nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 120nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.9203 | $ 17.9203 |
| 200+ | $7.1504 | $ 1430.0800 |
| 500+ | $6.9116 | $ 3455.8000 |
| 1000+ | $6.7949 | $ 6794.9000 |
