| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APT12M80B |
| EBEE 부품 번호 | E87453685 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 13A 335W 800mΩ@10V,6A 5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3179 | $ 13.3179 |
| 200+ | $5.3136 | $ 1062.7200 |
| 500+ | $5.1376 | $ 2568.8000 |
| 1000+ | $5.0487 | $ 5048.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APT12M80B | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 13A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V,6A | |
| 전력 손실(Pd) | 335W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@1mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.47nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 80nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3179 | $ 13.3179 |
| 200+ | $5.3136 | $ 1062.7200 |
| 500+ | $5.1376 | $ 2568.8000 |
| 1000+ | $5.0487 | $ 5048.7000 |
